안녕하세요, 학부 프로젝트 질문이 있습니다.

Q. 안녕하세요, 학부 프로젝트 질문이 있습니다.

아아좌좌..

안녕하세요, mychip 제작 프로그램에 참여하게 되어 LDO를 설계하고자 공부 중에 있습니다. 기존에 계획은 입력 1.2V-1.8V에 출력 1.0V, PSRR -60dB @ 100kHz를 목표로 했습니다. 우선 질문이 1. 기존 계획이 여러 metircs 중에서 PSRR만 고려한 데다가, 특정 타겟에 대한 LDO 설계가 아니어서 스펙을 설정하는 게 난감했습니다. 어떤 걸 타겟으로 만드는 게 좋을지 감이 오지 않습니다. 어떤 식으로 스펙을 정해서 시작하는 게 좋을지 조언 해주시면 감사하겠습니다. 2. pck를 보면 mos의 Vth가 대략 900mV로 되어 있습니다. error amp 설계가 불가능 할 거 같다고 판단하여 앞서 말씀드린 것처럼 스펙을 다시 정해보는 게 좋겠다고 생각했습니다. 타겟과 스펙을 정해서 시작하고 싶은 마음이어서 이렇게 질문 드리게 됐습니다. 아니면 논문을 따라서 제작해보면서 공부를 하는 것이 나을까요? 멘토님의 의견을 듣고 싶습니다.

2026.01.21

답변 3

P
PRO액티브현대트랜시스
코부장 ∙ 채택률 100%
먼저 채택한번 꼭 부탁드립니다!! 접근 순서를 바꾸는 게 좋겠습니다. 먼저 ‘사용 시나리오’를 정한 뒤 스펙을 역산하세요. 예를 들어 디지털 코어 보조 LDO를 타겟으로 하면 Vin 1.2V, Vout 0.9~1.0V, Iload 수 mA~수십 mA, PSRR은 100kHz보다 1~10MHz 대역이 더 중요해집니다. 반대로 아날로그 블록용이면 저주파 PSRR·노이즈가 핵심이죠. Vth≈0.9V라면 저전압 EA가 매우 어렵기 때문에 NMOS 패스 + charge pump 또는 PMOS 패스에 낮은 headroom 허용 같은 구조로 타겟을 수정하는 게 현실적입니다. mychip 목적이라면 처음엔 논문 구조를 하나 정해 그대로 재현 → 공정 맞게 수치 조정이 가장 효율적이고, 이후 스펙 튜닝이 학습 효과가 큽니다.
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2026.01.22
프로답변러YTN
코부사장 ∙ 채택률 86%
멘티님 Vth가 900mV인데 입력이 1.2V라면 헤드룸이 부족해 일반적인 회로 구현이 불가능하니 IEEE 논문 중 High Vth Low Voltage 키워드의 논문을 찾아 그 구조와 스펙을 그대로 벤치마킹하는 것이 유일한 해결책이에요. 무작정 수치를 정하기보다 IoT 센서용이나 메모리 전원용처럼 명확한 어플리케이션을 정하고 해당 분야의 표준 논문을 따라 Load Transient와 효율까지 챙기는 것이 가장 현명해요. 학부생 단계에서는 새로운 스펙을 창조하기보다 검증된 레퍼런스를 완벽하게 구현하는 것만으로도 충분히 훌륭한 성과이니 지금 당장 유사 조건의 논문부터 검색해서 설계를 시작하세요. 채택부탁드리며 파이팅입니다!
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2026.01.22
전문상담HL 디앤아이한라
코차장 ∙ 채택률 62%
안녕하세요, 성실히 답변 드리겠습니다. 채택 바랍니다 ^^ 짧게 핵심만 말씀 드리면 1. 스펙 설정방법 먼저 타겟 애플리케이션(예 , MCU, 센서, RF 모듈) 결정 그 애플리케이션의 전압, 전류 요구, 리플 허용치, PSRR 요구 기반으로 목표 스펙 정리 입력 전압 범위, 출력 전압, 최대 부하 전류, PSRR , 드롭아웃 전압, 안전화 캐패시터 조건 등 핵심 지표만 우선 설정 2. 설계 접근 방법 논문, 레퍼런스 회로 따라 제작 > 구조 동작 이해 후, 이후 타겟 스펙 맞춰 튜닝 Error amp 설계 가능성, MOS Vth 등 실무 제약 먼저 고려해서 스펙 조정 타겟 에플리케이션 기반 최소 핵심 스펙 설정 > 레퍼런스 회로로 공부 > 튜닝 순이 가장 효율적입니다.
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2026.01.22
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